Главная » Новости » 2009 » 12 » 02 2 декабря 2009

Samsung первой начинает выпуск асинхронной памяти DDR NAND по нормам «30-нанометрового класса»

Одновременно с объявлением о начале серийного выпуска 3-битной памяти типа MLC NAND по технологии «30-нанометрового класса» южнокорейская компания Samsung Electronics сделала еще одно объявление. Оно касается начала массового выпуска по тем же нормам чипов памяти MLC NAND плотностью 32 Гбит, оснащенных асинхронным интерфейсом DDR. По словам компании, поставки этой продукции крупным OEM-заказчикам начались в конце ноября.

Память типа DDR NAND отличается существенно повышенным быстродействием на операциях чтения. Новые чипы Samsung DDR MLC NAND способны передавать информацию со скоростью 133 Мбит/с, тогда как средняя скорость чтения обычной памяти SDR MLC NAND составляет 40 Мбит/с.

Областями применения асинхронной флэш-памяти DDR MLC NAND компания Samsung называет твердотельные накопители для ПК, карты памяти формата SD и модулях памяти Samsung moviNAND. Кроме того, новая память, характеризующаяся высоким быстродействием и большой плотностью, найдет применение в универсальных проигрывателях, проигрывателях MP3 и навигаторах.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.