Главная » Новости » 2009 » 12 » 01 1 декабря 2009

Samsung первой в отрасли освоила выпуск 3-битной флэш-памяти MLC NAND по нормам «30-нм класса»

Об освоении нового технологического рубежа в производстве флэш-памяти типа MLC NAND объявила компания Samsung Electronics. В конце ноября южнокорейский производитель первым в отрасли приступил к массовому выпуску чипов 3-битной памяти MLC NAND с использованием техпроцесса «30-нанометрового класса». На первом этапе эта продукция использоваться в картах памяти формата Secure Digital (microSD) объемом 8 ГБ совместно с эксклюзивной разработкой Samsung — контроллерами 3-битной флэш-памяти типа MLC NAND.

Помимо карт памяти, новые чипы могут найти место в USB-накопителях. Их применение позволяет увеличить объем накопителей и носителей на 50% по сравнению с продукцией, в которой используется распространенная сейчас 2-битная память MLC NAND.

В 2005 году компания Samsung представила первый чип MLC NAND плотностью 16 Гбит, рассчитанный на выпуск по технологии «50-нанометрового класса», открыв дорогу увеличению объемов накопителей и сменных носителей на базе флэш-памяти, в которых до этого использовалась более быстрая, но и более дорогая память типа SLC NAND. Массовый выпуск 30-нанометровой 3-битной памяти, как ожидается, существенно увеличит долю продукции с большим объемом памяти.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.