Главная » Новости » 2009 » 10 » 13 13 октября 2009

Hynix уменьшила энергопотребление микросхем памяти DDR3 на 30%

О начале выпуска микросхем памяти DDR3 плотностью 1 Гбит второго поколения объявила компания Hynix Semiconductor. Новая память изготавливается по 54-нанометровой технологии.

Новые микросхемы рассчитаны на стандартное напряжение питания 1,5 В. Вместе с тем, их энергопотребление на 30% меньше, чем у микросхем первого поколения. Важно, что снижение энергопотребления не повлияло на показатели быстродействия: по данным компании, новые продукты являются наиболее быстродействующими среди микросхем памяти плотностью 1 Гбит, составляющих сейчас основу поставок. По информации аналитической компании iSuppli, на микросхемы плотностью 1 Гбит приходится 87% объема поставок памяти DDR3. Лишь в 2011 году они уступят первенство микросхемам большей плотности.

Массовый выпуск новой памяти начался в этом месяце. Доступно два варианта изделия: с четырехразрядной (H5TQ1G43TFR) и восьмиразрядной (H5TQ1G83TFR) логической организацией.

Источник: Hynix

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.