Подразделение электроники и информационных технологий французской научно-исследовательской организации CE (CEA-Leti) уделяет значительное внимание разработкам в области нанотехнологий и микроэлектромеханических систем. На днях было опубликовано сообщение о том, что французским ученым удалось, образно говоря, перекинуть мостик между нанотехнологиями и традиционной технологией полупроводникового производства CMOS.
Исследователи продемонстрировали, что синтез кремниевых нанопроводов может быть выполнен при температурах около 400 °C с использованием катализатора на основе меди при условии применения не совсем обычного подхода. Названная температура значительно ниже, чем температуры, которые требовались ранее для синтеза кремниевых нанопроводов с использованием меди.
Суть нового подхода, использованного в Leti, заключается в нарушении одной из аксиом нанотехнологии. Ранее считалось, что оксидированные металлы непригодны для синтеза нанопроводов, так что исследователи всегда устраняли оксид. В данном случае ученые пошли прямо противоположным путем, используя химическую активность оксида медного катализатора для снижения температуры, при которой происходит синтез. Таким образом, была подтверждена возможность выращивания кремниевых нанопроводников в условиях, приемлемых для технологии CMOS.
Технологический прорыв поможет объединить CMOS и нанотехнологии. Предполагается, что с его помощью удастся дополнить кремниевые микросхемы новыми функциями — например, скрестить их с сенсорами или фотоэлектрическими элементами.
Источник: CEA-Leti