О наращивании выпуска компонентов памяти типа OneDRAM плотностью 1 Гбит объявила компания Samsung. Под названием OneDRAM кроется память собственной разработки Samsung, которая может быть использована, как память типа SRAM и DRAM DDR одновременно.
Прототип OneDRAM был представлен в 2006 году, а, начиная с прошлого года, Samsung выпускает такую память серийно, используя 60-нанометровый техпроцесс. Особенно заметен выигрыш от применения OneDRAM в сложных мобильных устройствах, таких, как смартфоны с мультимедийными функциями. Таковая частота упомянутого выше чипа плотностью 1 Гбит равна 166 МГц, что соответствует запросам требовательных приложений, таких, как телеконференции и просмотр web-страниц.
На мероприятии Mobile Solutions Forum, организованном Samsung, компания продемонстрировала, что пропускная способность чипа OneDRAM плотностью 1 Гбит равна 1,3 Гбит/с, что на 20% больше, чем у предшествующей модели плотностью 512 Мбит. В тоже время, OneDRAM в семь раз быстрее, чем обычные двухпортовые решения на базе RAM.
Компактные размеры микросхем OneDRAM позволяют уменьшить размеры печатных плат и повысить плотность компоновки устройств. Для дополнительного повышения эффективности компания предлагает однокорпусные решения, в которых память OneDRAM объединена с процессором, флэш-памятью типа NAND или OneNAND. Высота такого «бутерброда» составляет всего лишь 1,5 мм.
Источник: Samsung