Специалистам Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT) удалось изготовить полупроводниковый чип, в котором кремниевые транзисторы находятся на одной пластине с транзисторами, сделанными из нитрида галлия (GaN), полупроводникового материала, имеющего лучшие частотные показатели, чем кремний.
Большая часть транзисторов была сделана из кремния и лишь те, быстродействие которых было критически важно, — из GaN. В результате микросхема сохранила высокую энергетическую эффективность, поскольку большая часть транзисторов работала сравнительно медленно, потребляя меньше энергии.
Вместо традиционного подхода, когда нитрид галлия выращивают на поверхности кремниевого чипа, исследователи «вставили» слой нитрид галлия в общую подложку. Как утверждается, для производства таких изделий подходит существующая технология, так что успех, достигнутый в лаборатории, может открыть дорогу к массовому производству. Правда, пока исследователи научились работать с пластинами размером около одного дюйма. Промышленность, как известно, оперирует пластинами большего диаметра, так что до передачи технологии в производство ей предстоит пройти определенный путь.
Новую технологию можно применить, например, для объединения лазеров и электронных компонентов на одной подложке. Другой областью применения являются потребительские электронные устройства с радиочастотными модулями, такие, как сотовые телефоны. В них, как правило, используется несколько микросхем, изготовленных из разных полупроводниковых материалов. По мнению разработчиков, технология позволит уменьшить количество отдельных микросхем, придав новый толчок микроминиатюризации.
Источник: EE Times