Компания Hynix Semiconductor объявила о выпуске микросхем памяти типа DDR SDRAM плотностью 4 Гбит, предназначенных для мобильных устройств. Новинки поддерживают платформу Intel Moorestown, которая является основой для мобильных устройств с Интернет-подключением (MID). Серийный выпуск должен начаться в текущем квартале.
Память способна работать на скоростях до 400 Мбит/с, что соответствует пропускной способности 1,6 ГБ/с в случае применения 32-разрядной шины. Она соответствует требованиям стандартов JEDEC. Предполагается, что новая память найдет применение в приложениях нового поколения: MID, нетбуках и смартфонах, которым необходима быстрая память большого объема с малым энергопотреблением.
Микросхемы Hynix плотностью 4 Гбит будут выпускаться как в виде изделий, объединяющих несколько кристаллов в одном корпусе (MCP), так и в корпусах типа package-on-package (POP).
Источник: Hynix