После нескольких лет разработки компания Cymer смогла отгрузить заказчику первый полностью интегрированный источник излучения для литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (Extreme Ultraviolet, EUV), в котором плазма создается с помощью лазера (LPP). Получателем изделия является компания ASML Holdings NV. Это очень важное событие для полупроводниковой отрасли, отмечает источник, поскольку оно знаменует собой технологический прорыв, который окажет влияние на ее развитие в ближайшие десять лет.
Ультрафиолетовое излучение представляет собой электромагнитные колебания, длина волны которых короче, чем длина волны видимого света, но длиннее, чем длина волны рентгеновского излучения. Источники этого излучения необходимы для производства полупроводниковых микросхем.
Упомянутый выше источник LPP EUV излучает свет с длиной волны 13,5 нм, что в 15 раз короче, чем у источников, используемых сейчас. С его помощью удастся формировать структуры меньшего размера, иначе говоря, освоить более тонкие технологические нормы.
Наличие источника достаточной мощности критически важно для серийного производства, поскольку переход к массовому выпуску микросхем влечет за собой снижение их себестоимости. По данным Cymer, источник имеет мощность 75 Вт, чего достаточно для засветки всей подложки. Более того, до конца квартала мощность может быть увеличена до 100 Вт. Большая мощность позволяет обработать больше пластин в единицу времени. Сейчас производительность составляет 60 пластин диаметром 300 мм в час. Ожидается, что, когда новый источник будет полностью интегрирован со сканерами ASML, она вырастет до 100 пластин в час. У ASML уже есть заказы на оборудование для EUV-литографии от пяти заказчиков, отмечает источник.
Источник: Zacks Investment Research