Главная » Новости » 2009 » 07 » 05 5 июля 2009

Ramtron увеличивает объем микросхем памяти F-RAM до 8 Мбит и выбирает для них корпус FBGA

Компания Ramtron International, энергонезависимая сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (F-RAM) которой недавно нашла применение в твердотельных накопителях, объявила о выпуске нового продукта.

Микросхемы FM23MLD16 оснащены параллельным интерфейсом и имеют плотность 8 Мбит. Хочется отметить, что выпуск памяти F-RAM с параллельным интерфейсом плотностью 1 Мбит был анонсирован всего лишь семь месяцев назад, а упомянутая выше память, выбранная для твердотельных накопителей (FM22L16), имеет плотность 4 Гбит.

В отличие от FM22L16, новые микросхемы оформлены в 48-контактных корпусах типа FBGA. Они имеют логическую организацию 512K x 16, время доступа 60 нс и длительность цикла обращения 115 нс. Максимальная тактовая частота равна 33 МГц. При записи или чтении микросхема потребляет ток 9 мА, а в режиме ожидания — 180 мкА. Заявленное время хранения информации равно 10 годам, а число циклов записи, по оценке производителя, превышает 100 триллионов раз.

Микросхема, рассчитанная на напряжение питания 3 В, совместима по расположению и назначению выводов с микросхемами асинхронной статической памяти с произвольным доступом (SRAM). В числе областей применения FM23MLD16 названы промышленные системы управления, сетевые накопители, принтеры и автомобильные навигаторы. Оптовая цена новинки равна $29,23 за штуку.

Источник: Ramtron

  • Теги:
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.