Главная » Новости » 2009 » 06 » 24 24 июня 2009

Samsung Electronics и Numonyx объединяют усилия по разработке памяти PRAM

Почти два года назад мы рассказывали о памяти с произвольным доступом, построенной на переходе вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM) и перспективах ее появления на рынке. Сейчас два основных разработчика памяти, способной заменить одновременно оперативную память и флэш-память, решили объединить усилия.

Компании Samsung Electronics и Numonyx B.V. объявили о совместной разработке спецификаций новых продуктов, получивших обозначение PCM (Phase Change Memory). Как утверждается, память нового поколения поможет производителям сотовых телефонов и других мобильных устройств, встраиваемых систем и компьютеров удовлетворить требованиям повышения производительности и снижения энергопотребления. Создание общей аппаратно-программной платформы PCM даст возможность упростить разработку продукции и сократить связанные с ней затраты времени. Изготовители конечной продукции смогут быстро переключаться между компонентами производства разных компаний.

Ключевыми преимуществами PCM над используемыми сейчас технологиями памяти является потрясающе высокое быстродействие и надежность, и низкое энергопотребление.

Партнеры рассчитывают завершить разработку спецификации, поддерживающей стандарт JEDEC LPDDR2, в текущем году, а появление продукции, удовлетворяющей ее требованиям, ожидается в будущем году.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.