Главная » Новости » 2009 » 03 » 19 19 марта 2009

Samsung использует 50-нанометровые микросхемы DDR3 плотностью 2 Гбит в модулях памяти объемом 16 ГБ

Южнокорейский электронный гигант объявил о начале поставок первых в мире модулей памяти, в которых используется память DDR3 плотностью 2 Гбит, изготовленная по нормам 50 нм.

В общей сложности Samsung поставляет 18 вариантов модулей DDR3, предназначенных для серверов. Это число включает модули RIMM объемом 16 ГБ и модули RDIMM объемом 8 ГБ. Ознакомительные образцы используемых в них самых маленьких в мире микросхем DDR3 плотностью 2 Гбит, произведенных по нормам 50 нм, компания начала поставлять в сентябре прошлого года.

Модуль объемом 16 ГБ работает со скоростью 1066 Мбит/с. Используя такие модули, можно включить в конфигурацию сервера с двумя процессорными гнездами 192 ГБ памяти.

Модули Samsung стали первыми модулями RDIMM объемом 16 ГБ, работающими при напряжении питания 1,35 В, что, по оценке компании, обеспечивает экономию 20% энергии по сравнению с модулями DDR3, работающими при напряжении 1,5 В. Кроме того, память DDR3 плотностью 2 Гбит потребляет на 40% меньше энергии, чем память плотностью 1 Гбит. Снижение энергопотребления особенно актуально для серверных систем, конфигурации которых включают значительные объемы ОЗУ, и мобильных компьютеров, которые в результате получают большее время автономной работы.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.