Главная » Новости » 2009 » 03 » 10 10 марта 2009

Samsung начинает использовать 40-нанометровую технологию в производстве памяти Flex-OneNAND

Два года назад компания Samsung Electronics представила микросхемы памяти Flex-OneNAND, объединяющие в одном изделии два типа флэш-памяти NAND: одноуровневые ячейки (SLC) и многоуровневые (MLC).

За прошедший период компания освоила новые нормы техпроцесса, которые теперь будут применяться при выпуске микросхем Flex-OneNAND плотностью 8 Гбит.

Применение 40-нанометровой технологии позволило Samsung увеличить выход новой памяти на 180% по сравнению с первыми чипами Flex-OneNAND плотностью 4 Гбит, которые выпускались по нормам 60 нм.

Память типа MLC, включенная в состав Flex-OneNAND, превосходит по скорости чтения обычную памяти типа MLC NAND. По оценке производителя, разница может достигать трех раз. В свою очередь, SLC, включенная в состав Flex-OneNAND, работает еще быстрее — для нее превосходство в скорости чтения может доходить до четырех раз. Скорость записи в область MLC внутри Flex-OneNAND примерно равна скорости записи обычной памяти MLC NAND. Превосходство области SLC внутри Flex-OneNAND по скорость записи над обычной памятью MLC NAND достигает четырех раз.

Ожидается, что до конца года область применения Flex-OneNAND расширится со смартфонов до телевизоров высокой четкости (HDTV), устройств для Интернет-телевидения (IPTV) и других приложений класса high-end.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.