Два года назад компания Samsung Electronics представила микросхемы памяти Flex-OneNAND, объединяющие в одном изделии два типа флэш-памяти NAND: одноуровневые ячейки (SLC) и многоуровневые (MLC).
За прошедший период компания освоила новые нормы техпроцесса, которые теперь будут применяться при выпуске микросхем Flex-OneNAND плотностью 8 Гбит.
Применение 40-нанометровой технологии позволило Samsung увеличить выход новой памяти на 180% по сравнению с первыми чипами Flex-OneNAND плотностью 4 Гбит, которые выпускались по нормам 60 нм.
Память типа MLC, включенная в состав Flex-OneNAND, превосходит по скорости чтения обычную памяти типа MLC NAND. По оценке производителя, разница может достигать трех раз. В свою очередь, SLC, включенная в состав Flex-OneNAND, работает еще быстрее — для нее превосходство в скорости чтения может доходить до четырех раз. Скорость записи в область MLC внутри Flex-OneNAND примерно равна скорости записи обычной памяти MLC NAND. Превосходство области SLC внутри Flex-OneNAND по скорость записи над обычной памятью MLC NAND достигает четырех раз.
Ожидается, что до конца года область применения Flex-OneNAND расширится со смартфонов до телевизоров высокой четкости (HDTV), устройств для Интернет-телевидения (IPTV) и других приложений класса high-end.
Источник: Samsung Electronics