Главная » Новости » 2009 » 02 » 09 9 февраля 2009

Hynix начнет выпуск DDR3 плотностью 1 Гбит по нормам 40 нм в третьем квартале

Компания Hynix Semiconductor сообщила о разработке микросхем памяти DRAM DDR3 плотностью 1 Гбит, рассчитанных на производство по нормам 40 нм.

Максимальная скорость обмена данными, обеспечиваемая новыми микросхемами, равна 2133 Мбит/с. Микросхемы работоспособны в широком диапазоне напряжений питания. Серийный выпуск изделий начнется в третьем квартале 2009 года, обещает компания.

По сравнению с аналогичными продуктами, изготавливаемыми по нормам 50 нм, общую производительность памяти удалось повысить более чем на 50%. Такой результат получен на только за счет уменьшения структур при переходе к более тонким нормам — компания применила «трехмерные транзисторы», которые отличаются уменьшенным током утечки и пониженным энергопотреблением.

Hynix рассчитывает на применение памяти, изготавливаемой по нормам 40 нм, в модулях памяти DDR3. Кроме того, компания планирует применить новую технологию для производства памяти для мобильных устройств и графических ускорителей.

Источник: DigiTimes

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.