Toshiba показала флэш-память, изготовленную по нормам 10 и 8 нм

ПредыдущаяСледующая
1174

На завершившемся вчера мероприятии International Electron Devices Meeting (IEDM) компания Toshiba побила свой собственный рекорд плотности памяти.

В прошлом году Toshiba рассказала о разработке технологии, построенной на использовании слоя материала с двойным туннельным переходом, которая позволит выпускать с применением норм 10 нм микросхемы памяти плотностью более 100 Гбит.

Недавно компания показала чип, выполненный по нормам 15 нм, а на IEDM были показаны образцы, изготовленные по нормам 10 и 8 нм. Во всех случаях была использована упомянутая выше технология, построенная на применении структур типа SONOS (silicon oxide nitride oxide semiconductor). В ячейках памяти, образованных структурами SONOS, электроны хранятся в слое изолятора затвора транзистора.

Специалистам Toshiba удалось показать, что 10-нанометровые затворы транзисторов в памяти SONOS способны длительно хранить информацию (в течение десяти лет). Такие же способности продемонстрировали ячейки памяти, изготовленной по нормам 8 нм. В последнем случае толщина слоя нанокристаллов кремния, заключенного между пленками оксида толщиной 1 нм, составляет всего лишь 1,1 нм.

Источник: EE Times

18 декабря 2008 Г.

14:55

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Работа камеры OnePlus 5T будет улучшена при помощи обновления ПО: К сожалению, сроки выпуска обновления пока не сообщаются

Бюджетный смартфон Uhans i8 получил систему распознавания лиц пользователей: Цена Uhans I8 составляет 130 долларов

Экшн-камера MGCool Explorer 3 будет поддерживать запись видео разрешением 4К при 30 к/с: При помощи специального чехла камера сможет выдерживать погружения на глубину до 30 м

Eluga C — первый «полноэкранный» смартфон Panasonic: Над дисплеем находится только вырез громкоговорителя, а фронтальная камера переместилась на нижнюю панель3

Смартфон 360 N6 Pro может получить второй экран и два дактилоскопических датчика: Анонс новинки состоится 28 ноября1

Производитель называет Vernee Active лучшим защищенным смартфоном на рынке: Vernee Active оснащен аккумулятором емкостью 4200 мА•ч, разъемом USB-С, модулем NFC, поддерживается 18-ваттная быстрая зарядка

По подсчетам Sigmaintell, в минувшем квартале было выпущено 530 млн панелей для смартфонов: Samsung Display, основной производитель панелей для смартфонов, опережает отрасль4

Смартфону Galaxy S9 приписывают камеру с трехслойным датчиком, способную снимать со скоростью более 1000 к/с: По оценке KB Securities, такой датчик увеличивает стоимость камеры до 60-90 долларов65

Вопросы в тематическом форуме GOODRAM и конкурс GOODRAM: Участвуя в конкурсе, можно выиграть SSD GOODRAM CX300 объемом 120 ГБ9

997
1318

iXBT TV

  • Обзор проекционного документ-сканера Doko BS16

  • Обзор материнской платы Z370 Aorus Gaming 7 под процессоры Coffee Lake

  • Обзор аккумуляторной дрели-шуруповерта Bosch GSR 12V-15 FC Professional

  • Заводские экзоскелеты, обновление Firefox, слишком умные наушники

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 3: стенд группы компаний РСК

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 2: стенд Intel

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 1: рейтинг Top500

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора LG PF1000U со встроенным ТВ-тюнером

  • Камера Panasonic G9, унитазный робот, игровой смартфон, кепка для водителей

  • Обзор портативной беспроводной колонки Sven PS-460

  • Обзор напольного пылесоса Tefal Silence Force 4A TW6477 с одноразовыми мешками для сбора мусора

  • Обзор сверхширокоугольного зум-объектива Canon EF 16-35mm f/2.8L III USM

1212

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать