Немецкий производитель памяти Qimonda AG представил на мероприятии IEDM 2008, прошедшем 15 декабря в Сан-Франциско, разработку в области энергонезависимой памяти. Для памяти нового поколения предполагается использовать аллотропные модификации углерода.
Выбранный подход, по мнению компании, обеспечит существенное повышение плотности памяти. Скажем, размеры минимального элемента памяти, в которой используется изменение фазового состояния, составляют 30-40 нм. В то же время, размеры элемента памяти, построенной на использовании аллотропных модификаций углерода, равны 2-3 нм.
Известно несколько аллотропных модификаций углерода, включая алмаз, графит, углеродные нанотрубки и фуллерены. Каждая из них соответствует определенному состоянию электронов на внешних орбитах атомов углерода. Специалистам Qimonda удалось разработать технологию изменения состояния с помощью электрического тока. Эта технология дает возможность «переключать» углерод между проводящим и непроводящим состоянием. Пока исследования находятся на начальном этапе, но полученные результаты показывают перспективность выбранной стратегии и потенциал применения углеродных структур в качестве элементов памяти следующего поколения.
Источник: TechOn!