Главная » Новости » 2008 » 12 » 10 10 декабря 2008

Intel говорит о прорыве в кремниевой фотонике

По сообщению корпорации Intel, ее специалистам удалось совершить очередной прорыв в области кремниевой фотоники (Silicon Photonics), установив мировой рекорд производительности с помощью системы на базе кремниевого лавинного фотодиода (Avalanche Photodetector, APD), обеспечивающего сокращение затрат и повышение быстродействия по сравнению с другими серийно выпускаемыми оптическими устройствами.

Кремниевая фотоника – перспективная технология, в которой кремниевые компоненты используются для передачи и приема оптической информации между компьютерами и другими электронными устройствами. С развитием этой технологии связывают надежды на удовлетворение потребностей в пропускной способности будущих вычислительных приложений, характеризующихся высокой интенсивностью обработки данных. В частности, речь идет о системах удаленного медицинского обслуживания и создания реалистичных трехмерных виртуальных миров.

Сверхбыстрая передача данных будет необходимым условием для работы компьютеров будущего, оснащенных многоядерными процессорами. Она также позволит создавать недорогие высокопроизводительные крупносерийные вычислительные системы. Это достижение основано на предыдущих открытиях Intel, таких как высокоскоростные кремниевые модуляторы и гибридные кремниевые лазеры. Совместное использование этих технологий может привести к созданию цифровых устройств совершенно новых типов, обладающих гораздо большей производительностью по сравнению с производительностью устройств, доступных сегодня.

Созданный в Intel кремниевый лавинный фотодиод – исключительно чувствительный фотодетектор, позволяющий обнаруживать световое излучение и усиливать слабые световые сигналы, направленные на кремниевый приемник. При разработке этого устройства APD использовались кремниевые элементы и технологии CMOS. Добротность усилителя допускает работу на частотах до 340 ГГц – это наилучший результат из когда-либо достигнутых на APD. Новое устройство позволяет создавать недорогие оптические линии со скоростью передачи данных 40 Гбит/с и выше.

Впервые опытным путем доказано, что технология кремниевой фотоники может обеспечивать более высокое быстродействие по сравнению с быстродействием традиционных, более дорогих оптических материалов, таких как фосфид индия.

Источник: Intel

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.