Главная » Новости » 2008 » 12 » 04 4 декабря 2008

Hynix выпустила первые в мире 54-нм чипы памяти Mobile DRAM плотностью 2 Гбит

Hynix Semiconductor сообщила о том, что ею разработана и выпущена прогрессивная память — 2-Гбит микросхемы Mobile DRAM, которые производятся по нормам 54 нм.

Такая плотность вдвое превышает представленные на рынке 1-Гбит решения среди продуктов для мобильных платформ MCP(Multi Chip Package) и PoP(Package on Package).

Теоретический максимум скорости такой памяти равен 400 Мбит/с, а напряжение питания равно 1,2 В. При 32-битных операциях ввода-вывода эта память может пропускать до 1,6 ГБ данных в секунду. Традиционно, более новая память потребляет меньше энергии.

Кроме того, новинка удовлетворяет инициативе Hynix, именуемой, как «One Chip Solutions», что означает, что эта память одинаково хорошо подходит, как для SDRAM, так и для DDR DRAM интерфейса при организации модуля х16 или х32.

Ожидается, что новый продукт Hynix вскоре получит широкое распространение, поскольку будет применяться для построения таких мобильных устройств, как MID(Mobile Internet Device) и UMPC(Ultra Mobile PC).

Источник: Hynix Semiconductor

09:14 04.12.2008
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.