Главная » Новости » 2008 » 11 » 26 26 ноября 2008

Elpida завершила разработку памяти DDR3 SDRAM, рассчитанной на производство по нормам 50 нм

Крупнейший японский производитель памяти типа DRAM объявил о завершении разработки памяти DDR3 SDRAM, рассчитанной на производство по нормам 50 нм. Новый продукт, как утверждается, имеет минимальное в отрасли энергопотребление.

Напряжение питания памяти равно 1,2 В. Стоит отметить, что память рассчитана и на большие напряжения, в том числе, на стандартное для памяти типа DDR3 напряжение 1,5 В, и на пониженное напряжение 1,35 В. Максимальная пропускная способность памяти составляет 2,5 Гбит/с (поддерживаются скорости обмена 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 и 2500 Мбит/с). К другим достоинствам памяти, рассчитанной на выпуск 50-нанометровой технологии, является самый маленький в отрасли размер чипа — менее 40 кв.мм.

Первое время память типа DDR3 SDRAM будут использоваться в настольных ПК верхнего сегмента. Постепенно круг ее приложений расширится в сторону ноутбуков и серверов — туда, где сейчас господствует память DDR2 SDRAM.

Массовый выпуск памяти DDR3 SDRAM по нормам 50 нм Elpida Memory рассчитывает начать в первом квартале будущего года.

Источник: Elpida Memory

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.