Главная » Новости » 2008 » 10 » 29 29 октября 2008

Intel представит 32-нм техпроцесс на IEDM 2008

На мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2008), которое пройдет с 15 по 17 декабря, корпорация Intel, как ожидается, представит свой 32-нм технологический процесс, предназначенный для выпуска высокопроизводительных микропроцессоров.

В тексте публикации, которая предваряет выступление Intel на IEDM, говорится, что в компании был успешно изготовлен 32-нм массив ячеек SRAM плотностью 291 Мбит. Размер одной ячейки массива равен 0,171 кв.мкм. В общей сложности, в массив вошло около двух миллиардов транзисторов.

Тестовый чип работал при напряжении 1,1 В на тактовой частоте 3,8 ГГц. В серийном производстве по нормам 32 нм Intel рассчитывает использовать иммерсионную литографию. Поставщиком соответствующего оборудования выступает компания Nikon.

В 32-нм техпроцессе используется технология металлических затворов и материалов с высокой диэлектрической постоянной (high-k/metal gate) второго поколения, «напряженный» кремний и девять диэлектрических слоев с малым значением диэлектрической постоянной (low-k).

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.