Sorry, temp error.
Главная » Новости » 2008 » 10 » 29 29 октября 2008

Toshiba начала выпуск 43-нм памяти SLC NAND рекордной плотности

Компания Toshiba объявила о выпуске новой линии 43-нм флэш-памяти типа SLC (single-level cell) NAND, включающей продукты плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Линия включает 16 изделий, различающихся не только плотностью, но и типом корпуса. Три новинки — компоненты плотностью 16, 32 и 64 Гбит — изготавливаются из монолитных 16-Гбит чипов. По имеющимся данным, это чипы максимальной плотности, выпускаемые сейчас по нормам 43 нм. Появление новых продуктов на рынке ожидается в будущем году.

В последние годы Toshiba наращивала производство флэш-памяти типа MLC (multi-level-cell) NAND, используемой для хранения информации, например, в сменных носителях и проигрывателях MP3. Производство чипов SLC было ограничено; для него использовались нормы 56 и 70 нм. Выпуском новых продуктов более высокой плотности компания рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.

Источник: Toshiba

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.