Главная » Новости » 2008 » 09 » 02 2 сентября 2008

SSD пока не готовы для серьезной работы, полагает аналитик

В то время как IBM тестирует высокоскоростной массив твердотельных накопителей (SSD) объемом 4 ТБ, некоторые специалисты считают, что технология SSD пока не готова к применению в корпоративных приложениях и хранилищах информации. По сравнению с флэш-памятью типа NAND более многообещающей выглядит память, в которой используется фазовый переход, или резистивная память, утверждает Боб Меррит (Bob Merritt), аналитик компании Convergent Semiconductors.

Современные SSD на базе NAND могут заменить винчестеры в некоторых приложениях, например, в мобильных ПК. Хотя освоение рынка идет параллельно со снижением цен, SSD все еще заметно дороже, чем HDD. Еще более важной представляется проблема с износом памяти типа NAND в процессе эксплуатации.

Она делает позиционирование SSD в сегмент корпоративных приложений ошибочным. «SSD это продукт со значительным положительным эффектом и потрясающим потенциалом массовости. Риск для полупроводниковых компаний заключается в том, что OEM или, что более вероятно, конечный пользователь могут на самом деле допустить SSD в приложение, для которого SSD не является подходящей технологией, и вызвать негативное представление о «ненадежности» SSD, — сказал Боб. — Я думаю, опрометчиво со стороны полупроводниковых компаний полностью слагать с себя ответственность за поддержание целостности технологии».

В этой ситуации на передний план могут выйти технологии памяти на эффекте фазового перехода и резистивной памяти. Их коммерциализация — вопрос времени, и сильной стороной указанных технологий является не только долговечность, но и высокой быстродействие и малое энергопотребление памяти.

Источник: EE Times

  • Теги:
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.