Главная » Новости » 2008 » 07 » 07 7 июля 2008

Нанотехнологии позволят существенно увеличить плотность памяти

Применение нанотехнологий может придать новый импульс микроэлектронике. Специалисты университета Пенсильвании ведут исследования, направленные на существенное увеличение плотности памяти за счет применения наноструктур.

Плотность памяти и так стремительно растет с уменьшением норм техпроцесса, но пенсильванская разработка построена на принципиально новом подходе — хранении в ячейке памяти не одного из двух, а одного из трех возможных значений. Ячейка напоминает отрезок микроскопического коаксиального кабеля. Внутри оболочки из теллурида германия (GeTe) находится сердечник из более сложного компаунда — Ge2Sb2Te5 (на иллюстрации отмечен стрелкой).

Оба указанных материала могут менять свое фазовое состояние под действием электрического поля, переходя из кристаллической формы в аморфную и обратно. Ключевым моментом, позволяющим хранить в одной ячейке три значения, является возможность независимого изменения фазового состояния оболочки и сердечника.

Привлекательным с точки зрения массового производства является тот факт, что структура ячейки относится к так называемым «самосборкам» — наноструктурам, формируемым самостоятельно, а дополнительным преимуществом кристаллических материалов является их тенденция к формированию образований, свободных от дефектов.

Источник: PhysOrg.com

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.