Применение нанотехнологий может придать новый импульс микроэлектронике. Специалисты университета Пенсильвании ведут исследования, направленные на существенное увеличение плотности памяти за счет применения наноструктур.
Плотность памяти и так стремительно растет с уменьшением норм техпроцесса, но пенсильванская разработка построена на принципиально новом подходе — хранении в ячейке памяти не одного из двух, а одного из трех возможных значений. Ячейка напоминает отрезок микроскопического коаксиального кабеля. Внутри оболочки из теллурида германия (GeTe) находится сердечник из более сложного компаунда — Ge2Sb2Te5 (на иллюстрации отмечен стрелкой).
Оба указанных материала могут менять свое фазовое состояние под действием электрического поля, переходя из кристаллической формы в аморфную и обратно. Ключевым моментом, позволяющим хранить в одной ячейке три значения, является возможность независимого изменения фазового состояния оболочки и сердечника.
Привлекательным с точки зрения массового производства является тот факт, что структура ячейки относится к так называемым «самосборкам» — наноструктурам, формируемым самостоятельно, а дополнительным преимуществом кристаллических материалов является их тенденция к формированию образований, свободных от дефектов.
Источник: PhysOrg.com