Компании ARM, Ericsson, Hynix, LG, Silicon Image, Samsung, Sony Ericsson Mobile и STMicroelectronics сформировали рабочую группу, задачей которой является разработка открытого стандарта, описывающего интерфейс нового поколения для памяти, предназначенной для мобильных устройств. Интересно, что в организацию под названием Serial Port Memory Technology (SPMT) Working Group, не вошли многие ключевые участники рынка, например, AMD, Elpida, Intel, Micron и Qimonda.
Технология, которая получила название SPDRAM, призвана заложить основу для нового класса продуктов памяти. Как известно, современные продукты DRAM, применяемые в мобильной технике, имеют параллельный интерфейс. Это усложняет схемы и приводит к повышенному энергопотреблению. Новый подход позволит сократить количество выводов микросхем (минимум, на 40%), уменьшить энергопотребление (на 50%) и позволит иметь несколько портов за счет перехода от параллельного интерфейса к последовательному.
По словам участников рабочей группы, пропускная способность интерфейса SPDRAM составит от 200 МБ/с до 12,6 ГБ/с, в зависимости от количества линий. Например, в конфигурации с 10 сигнальными линиями скорость составит 800 МБ/с, а с 20 линиями — 3,3 ГБ/с. Энергопотребление блоков ввода-вывода при этом составит 40 и 120 мВт, соответственно.
Сформировать организацию SPMT Consortium, на которую будет возложено утверждение спецификации и лицензирование, рабочая группа рассчитывает в третьем квартале текущего года.
Источник: EE Times