Главная » Новости » 2008 » 04 » 24 24 апреля 2008

Hynix приступает к массовому выпуску 54-нм памяти DRAM

Как мы недавно уже сообщали, компания Hynix Semiconductor, которая является вторым по величине производителем чипов памяти для компьютерной отрасли, планирует сократить технологическое отставание от своего конкурента, Samsung Electronics.

В начале этого месяца у источника информации были сведения о том, что Hynix хочет перейти к началу производства 54-нм продукции DRAM (dynamic random access memory) в третьем квартале этого года. Конкурент в лице Samsung планировал выпуск 56-нм продукции в конце второго квартала.

По новым данным источника Hynix, подтвердившая эту информацию на днях, начнет производство DRAM-чипов по новым нормам уже в следующем месяце после проведения серии тестов опытных образцов. Сейчас, напомним, компанией освоен 66-нм техпроцесс, по которому и выпускаются чипы памяти.

Но опередить или поравняться с Samsung по показателю «кто раньше начнет делать более тонкую память» у Hynix вряд ли получится, поскольку первая уже начала производство 56-нм DRAM в этом месяце.

Источник: CDR-info

20:17 24.04.2008
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.