Южнокорейская Hynix Semiconductor анонсировала выпуск модулей памяти 2-Rank 8GB PC2-4200 RDIMM, в которых используется технология MetaSDRAM компании MetaRAM. Модули HYMP31GP72CUP4-C6 позволяют удвоить объем памяти систем на базе AMD Opteron и Intel Xeon. При этом новинки по энергетической эффективности превосходят стандартные четырехранговые модули объемом 8 ГБ и двухранговые объемом 4 ГБ. По оценке компании выигрыш может достигать 30%.
Упомянутая технология MetaRAM дает возможность использовать недорогие компоненты DRAM для производства DIMM нового поколения высокой плотности, не увеличивая количество рангов и нагрузку на процессор. В новых модулях Hynix Semiconductor используются массовые компоненты DDR2 SDRAM плотностью 1 ГБит, а не более дорогие компоненты плотностью 2 Гбит, что положительно сказывается на цене изделий.
В набор микросхем MetaSDRAM входят контроллеры потока и менеджер доступа, которые расположены между контроллером памяти и DRAM. Эта схема дает возможность использовать в одном модуле в четыре раза больше компонентов DRAM, чем обычно, без каких-либо изменений на аппаратном и программном уровне. Чипсет «показывает» контроллеру памяти несколько чипов DRAM, как один большой плотности.
Модули HYMP31GP72CUP4-C6 уже выпускаются серийно. В процессе разработки находятся модули двухранговые модули DDR3 RDIMM объемом 8 ГБ. Вывести их на рынок производитель обещает во втором квартале.
Источник: Hynix Semiconductor