Исследователи из университета штата Флорида и компании Texas Instruments (TI) создали самую высокочастотную схему в мире, изготовленную по технологии CMOS. Группа специалистов продемонстрировала работу схемы на частоте 410 ГГц. Как утверждается, это позволит снизить стоимость решений, применяемых в медицине, мониторинге окружающей среды и военной технике.
Новая разработка побила прежний рекорд в этой области, поставленный год назад сотрудниками того же самого университета и компании UMC. Напомним, тогда была продемонстрирована работа генератора, управляемого напряжением, который генерировал колебания с частотой 192 ГГц.
Что еще более важно, новый показатель примерно на 60 ГГц превышает рекордное значение, достигнутое с помощью альтернативной, более дорогой технологии, построенной на использовании фосфида индия.
Технологической базой для рекордной разработки послужил 45-нм техпроцесс CMOS, созданный в TI.
Несколько дней назад стало известно еще об одном достижении в области полупроводниковых приборов, выпускаемых по технологии CMOS. Компания Fujitsu представила первый в мире усилитель мощности, изготовленный по нормам 90-нм и способный работать на частоте 77 ГГц.
Источник: TI