Главная » Новости » 2008 » 02 » 09 9 февраля 2008

Samsung разрабатывает 45-нм «двухэтажную» флэш-память MLC NAND плотностью 4-Гбит

На конференции ISSCC 2008 компания Samsung Electronics представила свою очередную разработку в области флэш-памяти — 45-нм чип плотностью 4 Гбит, ячейки которого сформированы в виде объемной, двухслойной структуры.

Ячейки имеют структуру с плавающим затвором, в которой используется технология MLC (2-bit-per-cell). Площадь ячейки равна 0,0021 кв.мкм , что, по словам компании, является минимальным значением на сегодняшний день.

Чтобы создать «двухэтажные» MLC-чипы высокой плотности, специалистам Samsung понадобилось разработать несколько сопутствующих технологий. Во-первых, это касается структуры, получившей название «общая линия разряда» (Shared Bitline), которая позволяет верхнему и нижнему слою ячеек использовать совместно коммутатор линии выборки бита и страничный буфер.

Коммутаторы и буферы расположены в том же кристалле монолитного кремния, что и нижний слой ячеек, но они обслуживают по две ячейки. Это позволило избежать увеличения площади чипа. Декодеры линий, адресующих слова, выполнены в прототипе изделия раздельно для ячеек верхнего и нижнего слоя, чтобы избежать помех при записи и чтении информации. Кроме того, параметры записи, такие, как уровни напряжения и количество импульсов для верхнего и нижнего массива ячеек различаются, поскольку ячейки разных слоев имеют разные пороговые характеристики.

Как утверждается, прототип обеспечивает запись со скоростью 2,5 Мбит/с.

Источник: TechOn!

http://techon.nikkeibp.co.jp/english/NEWS_EN/20080208/147232/
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.