Главная » Новости » 2008 » 01 » 13 13 января 2008

Технология тестирования, созданная для MEMS, позволит увеличить выход годных CMOS-микросхем

Механические средства контроля не подходят для тестирования микроэлектромеханических систем (MEMS). Чтобы справиться с этой проблемой, специалисты National Institute of Standards and Technology (NIST) разработали набор тестовых процедур для MEMS, построенных на использовании бесконтактных оптических измерений. Как оказалась, разработка пригодится не только для MEMS. Ее могут применить и производители CMOS-микросхем, получив в свои руки средство увеличения выхода годных изделий.

В результате работы была создана версия тестового процесса, соответствующая стандарту American Society for Testing and Material (ASTM) E 2245. Она дает возможность измерять остаточное напряжение в тонких пленках (стандарт SEMI MS4-1107). Использование результатов измерений, по словам инженеров NIST, позволяет обоснованно корректировать техпроцесс и приемы обработки с целью повышения процента качественных изделий за счет выявления дефектов, вызванных электромиграцией, миграцией механических напряжений и расслоением.

Оптические измерения выполняются с помощью интерферометров и виброметров, а их результаты, после обработки, дают возможность судить о параметрах образцов. Кроме того, измеряется модуль упругости и определяется резонансная частота тонкой пленки, что дает возможность спрогнозировать ее реакцию на различные нагрузки.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2008

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.