Группа компаний подготовила новый документ, регламентирующий уровни безопасного электростатического разряда (ESD) для микросхем.
Более двух десятилетий производители разрабатывали цифровые микросхемы со встроенными цепями защиты от ESD, способными выдержать напряжение 2000 В (при использовании модели Human Body Model, HBM) и 200 В — для модели Machine Model (MM). Модель HBM соответствует условиям, когда человек касается микросхемы и в точке соприкосновения происходит электростатический разряд, модуль MM позволяет воспроизвести ситуацию, когда наэлектризовывается оборудование, соприкасающееся с микросхемами.
Отраслевая организация Industry Council on ESD Target Levels предлагает понизить уровни: HBM — до 1000 В, MM — до 30 В.
В совет, сформированный в прошлом году, вошло 16 крупных компаний: Analog Devices, Advanced Micro Devices, Freescale, Fujitsu, IBM, Infineon, Intel, LSI, Matsushita, NXP, Oki, Renesas, Samsung, Sarnoff, Texas Instruments и TSMC.
По мнению этих компаний, существующие требования являются избыточными, и приводят к неоправданной потере полезной площади кристалла на реализацию защитных цепей и сопутствующему снижению производительности микросхем. Кроме того, добавление сложных цепей защиты от ESD замедляет цикл разработки нового продукта. Основываясь на статистике отказов и учитывая более строгий, чем раньше, контроль возникновения электростатических разрядов на производстве, участники совета сформулировали более реалистичные требовании для моделей HBM/MM.
Источник: EE Times