Главная » Новости » 2007 » 11 » 23 23 ноября 2007

Производители намерены снизить требования по защите микросхем от электростатики

Группа компаний подготовила новый документ, регламентирующий уровни безопасного электростатического разряда (ESD) для микросхем.

Более двух десятилетий производители разрабатывали цифровые микросхемы со встроенными цепями защиты от ESD, способными выдержать напряжение 2000 В (при использовании модели Human Body Model, HBM) и 200 В — для модели Machine Model (MM). Модель HBM соответствует условиям, когда человек касается микросхемы и в точке соприкосновения происходит электростатический разряд, модуль MM позволяет воспроизвести ситуацию, когда наэлектризовывается оборудование, соприкасающееся с микросхемами.

Отраслевая организация Industry Council on ESD Target Levels предлагает понизить уровни: HBM — до 1000 В, MM — до 30 В.

В совет, сформированный в прошлом году, вошло 16 крупных компаний: Analog Devices, Advanced Micro Devices, Freescale, Fujitsu, IBM, Infineon, Intel, LSI, Matsushita, NXP, Oki, Renesas, Samsung, Sarnoff, Texas Instruments и TSMC.

По мнению этих компаний, существующие требования являются избыточными, и приводят к неоправданной потере полезной площади кристалла на реализацию защитных цепей и сопутствующему снижению производительности микросхем. Кроме того, добавление сложных цепей защиты от ESD замедляет цикл разработки нового продукта. Основываясь на статистике отказов и учитывая более строгий, чем раньше, контроль возникновения электростатических разрядов на производстве, участники совета сформулировали более реалистичные требовании для моделей HBM/MM.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.