Главная » Новости » 2007 » 11 » 20 20 ноября 2007

У NEC готова технология производства 40-нм встраиваемой памяти DRAM

Компания NEC Electronics и ее дочерние предприятия NEC Electronics America и NEC Electronics (Europe) GmbH, представили две новых технологии, предназначенных для производства 40-нм однокристальных систем со встроенной динамической памятью с произвольным доступом (eDRAM).

Техпроцесс UX8GD позволяет выпускать приборы, рассчитанные на частоты до 800 МГц и имеющие малое энергопотребление. По словам NEC, эта технология оптимальна для микросхем, применяемых в цифровых камерах, игровых приставках и других устройствах потребительской электроники. Микросхемы, изготовленные по технологии UX8LD, отличаются уменьшенным током уточки, что позволяет существенно уменьшить энергопотребление — по оценке компании, на две трети по сравнению с сопоставимыми чипами SRAM. Эти изделия оптимальны для сотовых телефонов и других портативных устройств, в которых критично малое энергопотребление в режиме ожидания.

Обе разработки построены на сочетании 40-нм техпроцесса CMOS и технологи изготовления eDRAM. Как утверждается, будут доступны конфигурации памяти объемом до 256 Мбит. Размер ячейки равен 0,06 мкм2, что на 50% меньше, чем размеры ячейки памяти, выпускаемой по 55-нм техпроцессу UX7LSeD eDRAM. Известно, что в новых чипах используются диэлектрики с высоким значением диэлектрической проницаемости (high-k).

Компания начла поставки образцов 55-нм eDRAM в октябре, рассчитывая перейти к серийному выпуску весной будущего года. Массовое производство 40-нм приборов должно начаться еще через год.

Источник: NEC Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.