Главная » Новости » 2007 » 10 » 16 16 октября 2007

Компания Cypress выпускает память nvSRAM плотностью 4 Мбит

В ассортименте компании Cypress Semiconductor появилась энергонезависимая статическая память с произвольным доступом (nvSRAM) плотностью 4 Мбит. Новинку выгодно характеризует малое время доступа - 15 нс, неограниченное количество циклов записи и чтения, и 20-летный период хранения данных в отсутствие источника питания.

По словам производителя, nvSRAM хорошо подходит для приложений, в которых востребована высокая скорость записи и абсолютная сохранность данных, связанная с тем, что память является энергонезависимой. В частности, речь идет о RAID-массивах; промышленном оборудовании, работающем в сложных условиях; системах сбора данных в бортовых системах автомобилей; медицинских приборах и средствах связи.

По сравнению с памятью SRAM, подпитываемой резервными батареями, новая память позволяет экономить место на печатной плате. В то же время, она экономичнее и надежнее памяти MRAM и FRAM.

К настоящему моменту Cypress предлагает приборы nvSRAM плотностью 256 Кбит и 1 Мбит. Очередное пополнение ассортимента ожидается в первой половине 2008 года.

Микросхемы nvSRAM плотностью 4 Мбит стали первыми приборами nvSRAM, выпускаемыми с использованием техпроцесса S8 (0,13-мкм SONOS - Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon).

Доступны изделия плотностью 4 Мбит с логической организацией 512 Кбит x 8 (CY14B104L) и 256 Кбит x 16 (CY14B104N). Пока можно говорить об ознакомительных образцах, а серийный выпуск компания обещает развернуть в первом квартале 2008 года.

Источник: Cypress Semiconductor

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.