Стремясь сохранить лидирующие позиции в отрасли, компания Toshiba рассматривает несколько перспективных технологий, включая возможность строительства фабрик, рассчитанных на 450-мм пластины, и литографию с использованием «жесткого» ультрафиолетового излучения (EUV).
В частности, компания ведет переговоры о сотрудничестве в области освоения EUV-литографии не только со своим давним партнером Nikon, но и с холдингом ASML Holding NV. В настоящее время, наиболее передовой технологией, используемой Toshiba и другими производителями, является 193-нм иммерсионная литография.
Проблема заключается в том, что 193-нм иммерсионная литография не может быть использована в техпроцессе с нормами менее 32 нм, что заставляет производителей искать альтернативы. Одной из них является EUV-технология, над разработкой которой работает группа из девяти компаний, включая Gigaphoton, Komatsu, Ushio, Canon, Nikon, Fujitsu, NEC, Toshiba и Renesas.
Помимо прямого уменьшения размеров элементов чипов масштабированием, Toshiba задействует и другие резервы повышения плотности – например, объемную компоновку и память, способную хранить больше единиц информации в расчете на одну ячейку.
Эти разработки могут ускорить приход 450-нм фабрик. Появление первого из таких производств, по мнению источника, ожидается в период до 2012 года. Первоначально, на 450-нм фабриках будет выпускаться память. Представитель Toshiba подтвердил заинтересованность компании в строительстве фабрики, рассчитанной на работу с пластинами диаметром 450 мм, хотя конкретных планов на этот счет пока нет.
Строительство 450-мм производств сдерживает позиция производителей оборудования – по их мнению, количество компаний, которые смогут позволить себе 450-мм фабрики, слишком мало. Пока названо только три кандидата - Intel, Samsung и Toshiba.
Источник: EE Times