По данным источника, ссылающегося на деловой ежедневник Nikkei, японский производитель планирует начать серийное производство 30-нм чипов флэш-памяти к концу 2009 года, рассчитывая обойти в технологической гонке своего основного конкурента в этой области, южнокорейскую компанию Samsung Electronics.
Освоив массовый выпуск 30-нм чипов, Toshiba, являющаяся вторым в мире изготовителем флэш-памяти, сможет более чем на половину снизить себестоимость продукции.
До перехода к 30-нм нормам, Toshiba начнет выпуск по нормам 43 нм. Соответствующие чипы будут изготавливаться на заводе, расположенном в центральной части Японии. Здесь же будет построена линия по выпуску 30-нм чипов, утверждает издание.
Официальных комментариев со стороны Toshiba пока не прозвучало.
Источник: Reuters