Главная » Новости » 2007 » 09 » 15 15 сентября 2007

Нанокластерный диоксид кремния претендует на роль диэлектрика для 65-нм чипов

По мере того, как производители осваивают 65-нм техпроцесс, возрастает потребность в новых материалах, свойства которых соответствовали бы особенностям уменьшившихся структур, образующих интегральные схемы.

Некоторые компании уже представили пористые материалы с низким значением диэлектрической проницаемости (low-k), равным 2,25, которые должны заменить традиционные диэлектрики. Новым среди них является нанокластерный диоксид кремния (nano clustering silica, NSC). По словам источника, он удовлетворяет требованиям 65-нм техпроцесса, будучи в состоянии перенести этапы химико-механической полировки (CMP), присоединения проволочных выводов и упаковки чипов. Свойства NSC таковы, что удается воспользоваться преимуществами пониженного значения постоянной k и повысить прочность тонкой пленки, одновременно.

Материал NSC позволяет выполнять многослойные внутренние соединения. Присоединение проволочных выводов с использованием меди в сочетании с NSC не приводит к разрушению внутренних медных соединений. По совокупности положительных свойств – механической прочности, термической устойчивости и стабильности размеров - NCS выгодно выделяется среди других материалов с низким значением диэлектрической проницаемости. Поэтому, утверждает источник, ожидается, что он будет широко использоваться в роли межслойного диэлектрика в чипах, изготавливаемых по нормам 65 нм.

Источник: DigiTimes

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.