По мере того, как производители осваивают 65-нм техпроцесс, возрастает потребность в новых материалах, свойства которых соответствовали бы особенностям уменьшившихся структур, образующих интегральные схемы.
Некоторые компании уже представили пористые материалы с низким значением диэлектрической проницаемости (low-k), равным 2,25, которые должны заменить традиционные диэлектрики. Новым среди них является нанокластерный диоксид кремния (nano clustering silica, NSC). По словам источника, он удовлетворяет требованиям 65-нм техпроцесса, будучи в состоянии перенести этапы химико-механической полировки (CMP), присоединения проволочных выводов и упаковки чипов. Свойства NSC таковы, что удается воспользоваться преимуществами пониженного значения постоянной k и повысить прочность тонкой пленки, одновременно.
Материал NSC позволяет выполнять многослойные внутренние соединения. Присоединение проволочных выводов с использованием меди в сочетании с NSC не приводит к разрушению внутренних медных соединений. По совокупности положительных свойств – механической прочности, термической устойчивости и стабильности размеров - NCS выгодно выделяется среди других материалов с низким значением диэлектрической проницаемости. Поэтому, утверждает источник, ожидается, что он будет широко использоваться в роли межслойного диэлектрика в чипах, изготавливаемых по нормам 65 нм.
Источник: DigiTimes