Главная » Новости » 2007 » 09 » 12 12 сентября 2007

Samsung обещает начать серийный выпуск 2-Гбит чипов DDR2 в этом году

Южнокорейский производитель полупроводниковых приборов, известный своими достижениями в области разработки и производства чипов памяти, объявил о том, что специалистам компании удалось создать первые в отрасли 60-нм чипы DDR2 DRAM плотностью 2 Гбит. Серийный выпуск такой памяти компания намерена начать до конца текущего года.

По сравнению с 80-нм чипами DDR2 такой же плотности, новые изделия имеют повышенное быстродействие – они обеспечивают пропускную способность 800 Мбит/с, что соответствует повышению скорости обмена данными на 20%. Другим важным преимуществом новой памяти является уменьшенный примерно на 40% размер кристалла.

По мнению компании, освоение в серийном производстве новой памяти поможет увеличить производительность и объем памяти серверов, рабочих станций и ноутбуков.

Используя чипы DDR2 плотностью 2-Гбит, производители получают возможность уменьшить количество компонентов модулей памяти объемом 8 Гб (four-rank) вдвое по сравнению с тем, когда для указанных модулей используются чипы плотностью 1 Гбит (72 чипа). Кроме того, модуль на новых компонентах потребляет на 30% меньше электроэнергии, и выделяет меньше тепла, что повышает надежность и снижает требования к системе охлаждения. Чипы Samsung DDR2 плотностью 2 Гбит подходят для четырех типов модулей: FBDIMM и RDIMM объемом 8 Гб; UDIMM и SO-DIMM объемом 4 Гб.

В настоящее время, Samsung уже выпускает память DDR2 по нормам 60 нм – чипы плотностью 512 Мбит и 1 Гбит.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



Sorry, temp error.
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2007
Sorry, temp error.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.