Главная » Новости » 2007 » 08 » 14 14 августа 2007

Integrated Silicon Solution представила асинхронную память SRAM плотностью 4 Мбит с питанием 5 В

В ассортименте компании Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), специализирующейся на быстродействующей памяти с малым энергопотреблением для мобильных устройств, сетевого оборудования, потребительской электроники и бортовых систем автомобилей, появилась новая линейка приборов асинхронной памяти SRAM. Микросхемы имеют плотность 4 Мбит, рассчитаны на питание от источника напряжением 5 В и представлены в двух вариантах логической организации - 512K x 8 и 256K x 16.

Новинки сочетают высокое быстродействие и малое энергопотребление: время доступа не превышает 10 нс, а ток в состоянии покоя – 200 нА. Для производства памяти задействован техпроцесс CMOS с нормами 0,13 мкм, сильной стороной которого, по мнению компании, является высокий процент выхода годных изделий.

Память доступна в двух вариантах исполнения, рассчитанных на применение в потребительской, промышленной и автомобильной электронике, соответственно.

Оптовая цена микросхем составляет 3,5 доллара. Память 512Kx8 IS61C5128AX и IS64C5128AX («автомобильная») выпускается в 36-контактных корпусах типа SOJ (400-mil), 32-контактных типа sTSOP-I, TSOP-II и SOP, 44-контактных типа TSOP-II. Память 256Kx16 IS61C25616X и IS64C25616X («автомобильная») – в 44-контактных корпусах типа SOJ и TSOP-II. Пока представлены ознакомительные образцы, серийные поставки компания обещает начать в сентябре.

Источник: ISSI

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.