Компания Samsung Electronics объявила о разработке, в которой используется технология «связи сквозь кремний» (through silicon via, TSV). Как сообщается, это достижение поможет вскоре создать модули памяти, которые превзойдут существующие образцы по показателям размера, скорости и энергопотребления.
«Упаковка» новой памяти, формируемая на уровне кремниевой пластины (wafer-level-processed stacked package, WSP) состоит из четырех чипов DRAM DDR2 плотностью 512 Мбит – другими словами, итоговая плотность равна 2 Гбит. Используя TSV-продукты плотностью 2 Гбит, Samsung может создать первые 4-Гб модули памяти DIMM с использованием технологии WSP.
В выпускаемой сегодня памяти MCP, чипы соединены между собой проволочными проводниками, проложенными в пространстве между ними. В случае WSP, непосредственно в толще кремния лазерным лучом «вырезаются» микроскопические отверстия, которые, будучи заполнены проводником (медью) избавляют от необходимости оставлять зазоры между чипами для прокладки проводников по бокам. По утверждению Samsung, это дает возможность создавать более компактные микросхемы.
Специальные меры позволили также повысить производительность и снизить энергопотребление новой памяти.
Напомним, о своих успехах в технологии TSV совсем недавно сообщала компания IBM.
Источник: Samsung