Главная » Новости » 2007 » 04 » 12 12 апреля 2007

Jazz Semiconductor объявляет о готовности 0,13-мкм техпроцесса SiGe BiCMOS

Новый технологический процесс предназначен для выпуска быстродействующих приборов, используемых в оборудовании для беспроводной и оптической связи.

Максимальная частота работы транзисторов, изготавливаемых по новому техпроцессу, составляет 200 ГГц. Как утверждается, этого достаточно для однокристальных решений, используемых в самых высокочастотных приложениях.

С точки зрения более тонких норм, которыми привыкли оперировать производители логических микросхем и, тем более, чипов памяти, нормы 130 нм кажутся вчерашним днем. На самом деле, и тут сказывается специфика области применения этих чипов, технология SiGe BiCMOS (SBC13) – передний край отрасли. В основе новинки - стандартный 130-нм техпроцесс CMOS и 200-ГГц SiGe-транзисторы, используемые для радиочастотных цепей и схем, работающих в миллиметровом диапазоне. При помощи нового технологического процесса можно формировать до шести слоев алюминиевых проводников, комбинировать пассивные аналоговые компоненты (индуктивности, конденсаторы, резисторы) и блоки с цифровыми цепями, что необходимо при изготовлении the однокристальных систем.

Jazz Semiconductor является дочерним предприятием компании Jazz Technologies и специализируется на вариациях CMOS-процесса, оптимизированных для выпуска чипов смешанной обработки сигналов.

Источник: Jazz Semiconductor

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.