Накопители на базе флэш-памяти типа NAND не только увеличиваются в объемах, но и становятся более сложными устройствами. Настолько, что для построения специализированного контроллера, на который возложено управление таким накопителем, целесообразно использовать 32-разрядное процессорное ядро. Именно это намерена сделать компания Phison Electronics в новом поколении NAND-накопителей. Упомянутая компания, имя которой, возможно, мало знакомо нашим читателям, между тем, является одним из крупнейших тайваньских разработчиков полупроводниковых изделий, не имеющих собственной производственной базы, то есть, концентрирующихся исключительно на задачах проектирования. Достаточно сказать, что в мае 2001 года специалисты Phison создали Pen Drive - первый в мире сменный накопитель на базе флэш-памяти с интерфейсом USB.
Выбор был сделан, как сказано в официальном пресс-релизе, по результатам сравнения, в котором выяснилось, что конфигурируемое ядро ARC 605 опережает продукцию конкурентов по таким показателям, как количество вентилей и энергопотребление. Другими словами, ядро ARC 605 занимает мало места и потребляет мало электроэнергии.
Сам по себе факт использования процессорного ядра ARC в контроллере флэш-памяти – не новость. Скорее, наоборот, изделия ARC являются стандартом де-факто для разработчиков флэш-накопителей. А вот происходящий сейчас переход на 32-разрядное ядро, как утверждается, представляет собой своеобразную веху в развитии технологии флэш-накопителей.
Процессорное ядро ARC 605 рассчитано на изготовление по нормам 0,13 мкм и максимальную таковую частоту 400 МГц. Его энергопотребление – 0,06 мВт/МГц - является своеобразным рекордом среди аналогичных изделий. Размер участка, занимаемого ядром на поверхности кристалла, не превышает 0,31 мм. Одной из ключевых особенностей ядра является высокая степень конфигурируемости (на схеме конфигурируемые блоки показаны синим). Основными областями применения ARC 605 являются однокристальные системы для встраиваемых решений, работающих в режиме реального времени, где востребовано высокое быстродействие.
Источник: ARC International