Главная » Новости » 2007 » 03 » 02 2 марта 2007

Nikon и CEA-Leti вместе возьмутся за разработку технологии двойного экспонирования

О новой программе разработки перспективной технологи, предназначенной для применения в производстве полупроводниковых микросхем сообщила корпорация Nikon. Совместно с Nikon в работе примет участие европейский центр исследований в области микроэлектроники CEA-Leti, курируемый французским атомным ведомством (Electronics and Information Technology Laboratory of the French Atomic Energy Commission), который фокусирует свои усилия на развитии оптической литографии применительно к техпроцессам с использованием норм 45 нм и менее.

Цель проекта – исследование потенциала технологии двойного экспонирования в производстве по нормам 32 нм. По имеющимся данным, в программе будет задействован литографический сканер производства Nikon, установленный в исследовательском центре CEA-Leti Nanotec 300.

Освоение технологии двойного экспонирования было включено в план ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors – набор документов, подготавливаемых отраслевыми экспертами) на 2006 год, как возможное решение задачи перехода к нормам 32 нм. Применение «жесткого» ультрафиолетового излечения (EUV) также перечислено в списке потенциальных вариантов, но темпы разработки этой технологии могут помешать ее внедрению на современном этапе и отложить этот шаг на ближайшие годы.

Источник: Nikon

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.