В мае прошлого года подразделение компании Alliance Semiconductor, специализирующееся на разработке и выпуске асинхронной статической памяти с произвольным доступом (Asynchronous SRAM), стало самостоятельным предприятием. Новоиспеченная компания получила имя Alliance Memory.
На днях компания Alliance Memory, поставляющая память для оборудования связи, вычислительной техники, промышленной и потребительской электроники, анонсировала выпуск 8-разрядной (x8) памяти Asynchronous SRAM, изготавливаемой по технологии КМОП (CMOS). Теперь в ассортименте Alliance Memory представлено два семейства такой памяти: в одно входят быстродействующие изделия (время доступа – 10-20 нс), в другое – память с пониженным энергопотреблением (время доступа – 55 нс).
Память с пониженным энергопотреблением рассчитана на питание от одного источника напряжением 2,7-5,5 В и совместима по уровню входных и выходных сигналов с микросхемами транзисторно-транзисторной логики (TTL).
Запланирован выпуск микросхем плотностью 64 Кбит (8 К х 8), 256 Кбит (32 К х8), 1 Мбит (128 К х8), 2 Мбит (256 К х8) и 4 Мбит (512 К х8) в корпусах типа DIP, SOP и TSOP. Ознакомительные образцы будут доступны, начиная с апреля 2007 года.
Источник: Alliance Memory