Главная » Новости » 2007 » 02 » 12 12 февраля 2007

Micron представляет 25-нм NAND флэш-память

Как мы недавно сообщали, компания Toshiba собирается начать производство флэш-памяти по 56-нм нормам и составить конкуренцию Samsung в своеобразной технологической гонке. Обоим производителям флэш-памяти готова бросить вызов компания Micron, заявившая о создании 25-нм микросхемы NAND флэш-памяти.




Об этом сообщил президент, исполнительный директор и председатель совета директоров компании Стив Эпплтон (Steve Appleton) в ходе пресс-конференции для аналитиков, продемонстрировав фотографию прототипа 25-нм флэш-памяти, созданного в лаборатории. По словам Эпплтона, 25-нм нормы могут быть внедрены в массовое производство в течение трех лет.




Пока же основным инструментом борьбы с Samsung, Toshiba, а также Hynix, является 50-нм 4-Гбит чип NAND флэш-памяти, созданный Micron совместно с Intel с прошлом году. Вскоре после сообщения Micron и Intel, Samsung в сентябре сообщила о создании прототипа 32-нм решения, с соблюдением норм 32 нм и патентованной технологии компании Charge Trap Flash (CTF).

Технологическая гонка, отмечает источник, происходит на фоне весьма неблагоприятной (для производителей) ситуации – уже в этом году ожидается снижение цен на флэш-памяти на 65% в силу перепроизводства NAND. И если ранее рынок NAND флэш-памяти выглядел достаточно хорошо на фоне рынка DRAM, то аналитики предсказывают, что снижение цен на NAND флэш-память будет сильнее, чем даже на DRAM, где сезонный спад цен, по данным разных производителей, составил от 10 до 30%.

Источник: Micron

15:40 12.02.2007
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.