Компания Samsung Electronics сообщила некоторые детали о новых чипах GDDR4-памяти ёмкостью 512-Мбит, которые будут представлены ею на ISSCC. Изготавливаемые с применением 80-нм техпроцесса, эти устройства ставят новый рекорд быстродействия, работая на частоте 2 ГГц и обеспечивая скорость передачи данных 4 Гбит/с.
Для сравнения, самая быстрая серийно выпускаемая GDDR4-память Samsung работает на частоте 1,4 ГГц, используемые сейчас в графических адаптерах AMD/ATI Radeon X1950XTX чипы GDDR4-памяти имеют номинальную частоту 1 ГГц, а в AMD/ATI R600, по неподтверждённым данным, будет использоваться 1,1-ГГц память.
Для снижения шумов и уменьшения энергопотребления разработчики использовали ряд нововведений, благодаря которым на 21 pS снизился джиттер «пик-пик» (peak-to-peak jitter) и на 68 мВ - пульсация напряжения.