Компания Hynix Semiconductor представила чипы DDR2-памяти ёмкостью 1 Гбит, изготовленные с помощью 60-нм техпроцесса, а также модули на их основе.
Как сообщает производитель, ожидаемая себестоимость чипов ёмкостью 1 Гбит вдвое меньше, чем первого поколения 80-нм чипов DRAM. А меньшие габариты 1-Гбит микросхем позволят Hynix производить модули регистровой DIMM и FBDIMM объёмом 4 Гб и больше. Планарная двухрядная сборка, обеспечиваемая, опять-таки, малыми габаритами чипов, позволяет избавиться от необходимости стекирования чипов в некоторых модулях (в частности, низкопрофильных).
В настоящее время готовы к серийному выпуску небуферизированные модули памяти с рабочей частотой 800 МГц и объёмом 1 Гб и 2 Гб. Кроме использования в модулях DRAM, новые чипы найдут применение в графических адаптерах и мобильных устройствах. Массовое производство их и модулей начнётся в первой половине 2007 года.