Главная » Новости » 2006 » 12 » 18 18 декабря 2006

Hynix представляет 60-нм чипы памяти и модули на их основе

Компания Hynix Semiconductor представила чипы DDR2-памяти ёмкостью 1 Гбит, изготовленные с помощью 60-нм техпроцесса, а также модули на их основе.


Как сообщает производитель, ожидаемая себестоимость чипов ёмкостью 1 Гбит вдвое меньше, чем первого поколения 80-нм чипов DRAM. А меньшие габариты 1-Гбит микросхем позволят Hynix производить модули регистровой DIMM и FBDIMM объёмом 4 Гб и больше. Планарная двухрядная сборка, обеспечиваемая, опять-таки, малыми габаритами чипов, позволяет избавиться от необходимости стекирования чипов в некоторых модулях (в частности, низкопрофильных).

В настоящее время готовы к серийному выпуску небуферизированные модули памяти с рабочей частотой 800 МГц и объёмом 1 Гб и 2 Гб. Кроме использования в модулях DRAM, новые чипы найдут применение в графических адаптерах и мобильных устройствах. Массовое производство их и модулей начнётся в первой половине 2007 года.

Источник:

11:53 18.12.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.