Главная » Новости » 2006 » 12 » 16 16 декабря 2006

Терагерц уже рядом: создан самый быстрый в мире транзистор

Инженеры Университета Иллинойса в Урбане-Шампэйн (University of Illinois at Urbana-Champaign) сообщили о создании самого быстрого в мире транзистора. Им удалось создать устройство, работающее на частоте до 845 ГГц, что примерно на 300 ГГц быстрее, чем разработки других исследовательских групп.

Транзистор-рекордсмен изготовлен из фосфида индия (indium phosphide) и арсенида галлия (gallium arsenide) и использует псевдоморфный переход (pseudomorphic grading) между базой и коллектором. Сообщается, что такой переход увеличивает скорость электронов и, следовательно, сокращает время заряда и плотность тока.

Помимо использования псевдоморфной структуры, разработчикам пришлось пересмотреть процесс производства транзисторных компонентов в плане их уменьшения. Ведь чем быстрее проходит свой путь электрон, тем быстрее транзистор. К примеру, база имеет толщину всего 12,5 нм.

Со своей новой разработкой учёные вплотную приблизились к "Святому Граалю" электроники - терагерцному транзистору. При температуре окружающего воздуха 25 °С устройство способно функционировать с частотой 765 ГГц, а для достижения рекордной отметки требуется охлаждение до -55 °С.

О том, какое значение имеет данное достижение к компьютерной индустрии говорить не нужно, хоть мы, конечно же, и не увидим в ближайшие годы 1-ТГц процессоров. К слову, один из участников проекта, Валид Хафез (Walid Hafez), уже работает в Intel…

Источник: PhysOrg

02:23 16.12.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.