Главная » Новости » 2006 » 12 » 15 15 декабря 2006

Intel работает над существенным увеличением кэша своих процессоров

Директор Intel по разработке компонентов Майк Мэйберри сообщил о том, что его подразделением в настоящее время ведется работа над внедрением нового типа транзисторов с эффектом плавающего заряда (floating-body cell), которые в будущем должны позволить оснащать процессоры Intel кэш-памятью куда большего объёма.

В настоящее время для этих целей используется SRAM (static RAM), но плотность её чипов на сегодня не слишком высока - для хранения одного бита информации требуется шесть транзисторов. Альтернативная технология, EDRAM (embedded RAM) слишком дорога в производстве и, тому же, не обладает достаточными скоростными показателями. Для хранения бита информации при использовании floating-body cell потребуется всего один транзистор.

Напомним, это не первая разработка, использующая подобный эффект - почти два года назад компания Toshiba объявила о разработке памяти типа floating-body DRAM.

Оригинальность подхода Intel заключается в том, что её дизайн для изменения силы заряда, поступающего на ячейку памяти и логический транзистор, использует два затвора вместо одного совместно с варьирующейся толщиной оксидной подложки.

В этой связи вспоминаются разработки Intel, направленные на создание трёхзатворных транзисторов, которые компания намерена внедрить в ближайшие 3-7 лет.

Источник: ZDNet

08:54 15.12.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.