Главная » Новости » 2006 » 12 » 14 14 декабря 2006

Samsung предрекает приход «эры слияния»

Компания Samsung Electronics поделилась с общественностью ошеломляющими перспективами новой технологии, которая, как утверждается, способна изменить полупроводниковую отрасль. Речь идет о так называемом «трехмерном кремнии». Выступая на 2006 International Electron Devices Meeting (IEDM), президент компании и исполнительный директор подразделения, занятого производством полупроводниковой продукции, доктор Chang-Gyu Hwang, заявил, что мир находится на пороге наиболее значительного перехода в полупроводниковой отрасли за всю историю ее существования. Оно превзойдет по масштабам периоды развития, связанные с выпуском ПК и потребительской электроники.

О сути грядущих изменений можно судить хотя бы по заголовку доклада: «Новые парадигмы в кремниевом производстве». По словам доктора Hwang, «приближающаяся эра прогресса в технологиях электроники – эра слияния – будет невероятной по масштабам, охватит сферы информационных технологий, биотехнологий и нанотехнологий, и откроет безграничные возможности для нового роста полупроводниковой промышленности».

Зародившись из производства ПК, ежегодный объем которого оценивается сейчас в 200 миллионов единиц продукции, производство мобильной и другой потребительской электроники по годовому объему выпуска превосходит два миллиарда единиц. «Эра слияния» поднимет объем рынка до 6,5 миллиарда единиц, и затронет, буквально, каждого жителя планеты.

Спрос на полупроводниковую продукцию растет постоянно, но в будущем его обусловят новые, крупные потоки потребления. Речь идет о биотехнологии, здравоохранении, робототехнике, аэрокосмической технике, производстве солнечных батарей и о других областях взаимного проникновения технологий, свойственного «эре слияния».

Одним из ключевых моментов, способных обусловить дальнейшее развитие, станет преодоление сегодняшних технологических ограничений. В частности, критически важным является выход за существующие границы технологических норм полупроводникового производства. Это должно дать производителям контроль над «ограниченными количествами электронов» и уменьшить уровень шумов внутри полупроводниковых приборов – другими словами, обойти факторы, являющиеся причинами наиболее существенных «узких мест» двухмерных структур.

Решение этих задач специалисты Samsung видят в использовании объемных структур - «трехмерного кремния». В настоящее время этот подход опробован применительно к простейшим элементам – транзисторам, однако предстоят и более глобальные нововведения.

Начало «эры слияния» ожидается в районе 2010 года, когда плотность полупроводниковых чипов перевалит за терабитный порог. Степень интеграции возрастет – все большее количество чипов будет включать различные типы памяти, логику, датчики, процессорные элементы.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.