На мероприятии International Electron Device Meeting (IEDM) компании IBM и AMD представили доклады, раскрывающие подробности иммерсионной литографии, диэлектриков со сверхмалой проницаемостью, и многочисленных приемов усовершенствования транзисторов применительно к выпуску 45-нм процессоров. Компании рассчитывают выпустить на рынок первые 45-нм процессоры, изготовленные с применением этих технологий, в середине 2008 года.
Напомним, в сегодняшнем производстве используется обычная литография, которая является значительным ограничивающим фактором, препятствующим освоению норм менее 65 нм. Как ожидается, иммерсионная литография позволит освоить более тонкие нормы, в частности, даст возможность AMD и IBM выпускать 45-нм микропроцессоры.
Использование пористых диэлектриков с малым значением диэлектрической постоянной (ultra-low-K) позволит снизить паразитную емкость соединений внутри чипа и повысить его быстродействие, одновременно снизив энергопотребление.
Что касается конструкции транзисторов для новых микропроцессоров, специалисты AMD и IBM совершенствуют технологии «растяжения» полупроводника, позволяющие наращивать быстродействие полупроводниковых приборов, преодолевая ограничения, связанные с физическими размерами их элементов, и возникающие при переходе к 45-нм техпроцессу. Не смотря на увеличение плотности размещения транзисторов при использовании 45-нм норм, IBM и AMD продемонстрировали увеличение тока в канале p-типа на 80%, а в канале n-типа - на 24% по сравнению с современными «нерастянутыми» транзисторами.
Напомним, начало совместной работе IBM и AMD по освоению новых технологических норм было положено в январе 2003 года. В ноябре прошлого года было объявлено о продлении сотрудничества до 2011 года. Предполагается, что к тому времени стороны подойдут к освоению 32-нм и 22-нм процессов.