Главная » Новости » 2006 » 12 » 05 5 декабря 2006

Infineon создала трёхмерный многозатворный полевой транзистор

Компания Infineon сообщила о создании трёхмерного многозатворного полевого транзистора (Multi-Gate finFET). Разработчики смогли построить и протестировать структуру из более чем 3000 таких элементов, выполненных по 65-нм технологии.


Сообщается, что новая технология позволила уменьшить площадь, занимаемую транзистором на чипе, на 30%, а ток утечки - в 10 раз, в сравнении с однозатворным планарным транзистором. Использование таких элементов может, к примеру, увеличить срок автономной работы портативных устройств вдвое при использовании 65-нм техпроцесса.

Напомним, что первенство в создании объёмного транзистора принадлежит Intel. Перевод транзисторов в третье измерение - попытка разработчиков спасти закон Мура. Следствием постоянного уменьшения элементной базы являются возрастающие токи утечки и, соответственно, увеличение тепловыделения и энергопотребления. Новая же технология даст возможность производить высокоинтегрированные чипы по технологии 32 нм и ниже.

Источник: Infineon

18:37 05.12.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.