Корпорация Hynix сообщает со создании микросхемы оперативной памяти (DRAM) для мобильных устройств, плотностью 512 Мбит и работающей на частоте 200 МГц. Hynix также отметила, что представленные чипы находятся на стадии тестирования и верификации у неназванного пока производителя, так что в скором будущем ждем их интеграции в смартфоны или коммуникаторы.
В микросхемах DRAM использована 32-разрядная шина, позволяющая достичь пропускной способности в 1,6 Гбайт/с (400 Мбит/с х32), что примерно в 1,5 раза больше, чем самый быстрый продукт компании на сегодняшний день. Размеры чипа составляют 8х10 мм.
В дальнейшем Hynix планирует пойти по стопам ведущих производителей компонент для мобильных устройств и интегрировать DRAM и NAND флэш-память в одном корпусе (по технологии MCP).