Главная » Новости » 2006 » 12 » 04 4 декабря 2006

Hynix представляет быструю DRAM для коммуникаторов и смартфонов

Корпорация Hynix сообщает со создании микросхемы оперативной памяти (DRAM) для мобильных устройств, плотностью 512 Мбит и работающей на частоте 200 МГц. Hynix также отметила, что представленные чипы находятся на стадии тестирования и верификации у неназванного пока производителя, так что в скором будущем ждем их интеграции в смартфоны или коммуникаторы.




В микросхемах DRAM использована 32-разрядная шина, позволяющая достичь пропускной способности в 1,6 Гбайт/с (400 Мбит/с х32), что примерно в 1,5 раза больше, чем самый быстрый продукт компании на сегодняшний день. Размеры чипа составляют 8х10 мм.

В дальнейшем Hynix планирует пойти по стопам ведущих производителей компонент для мобильных устройств и интегрировать DRAM и NAND флэш-память в одном корпусе (по технологии MCP).

Источник: Digi Times

15:34 04.12.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.